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全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場(chǎng)控制電子運(yùn)動(dòng)軌跡，使電子與靶材發(fā)生碰撞并濺射出原子或分子，從而在基片上形成薄膜的設(shè)備。與傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備相比，在結(jié)構(gòu)上增加了自動(dòng)化控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)整個(gè)濺射過(guò)程的精確控制和自動(dòng)化操作。主要由真空室、磁控濺射源、基片加熱器、真空測(cè)量與控制系統(tǒng)以及自動(dòng)化控制系統(tǒng)等部分組成。其中，自動(dòng)化控制系統(tǒng)是核心部分，它通過(guò)接收傳感器的信號(hào)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)濺射過(guò)程中的各項(xiàng)參數(shù)（如真空度、溫度、電流等），并根據(jù)預(yù)設(shè)的程序自動(dòng)調(diào)整各項(xiàng)參數(shù)，以保證薄膜的質(zhì)量和一致性。廣...

二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù)，利用化合物的離子化過(guò)程及其質(zhì)量分析，以確定待測(cè)化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分，通過(guò)將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離，并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸出至檢測(cè)器，在此被探測(cè)并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。簡(jiǎn)介在質(zhì)譜分析中，有三種常見(jiàn)的質(zhì)譜儀離子分析器可用于離子的分離。四極桿質(zhì)譜儀飛行時(shí)間質(zhì)譜儀磁扇形質(zhì)量分析儀四極桿質(zhì)譜儀直流偏壓會(huì)使所有帶電分子加速并遠(yuǎn)離中心線，其速度與它們的電荷與質(zhì)量比成正比。當(dāng)這些分子的軌跡偏離過(guò)大時(shí)，它們將撞擊金屬棒或...

TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。鉍基液態(tài)金屬離子槍（LMIGs）是商業(yè)ToF-SIMS中常用的離子源。與金等其他LMIG源相比，鉍基離子源可以在較低的溫度下工作，并能產(chǎn)生用于分析的離子簇（例如Bi3+）。這些離子束可以緊密聚焦，以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率(亞表面分析可通過(guò)在雙束模式操作來(lái)實(shí)現(xiàn)，包...

全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場(chǎng)控制等離子體濺射技術(shù)在基材上沉積薄膜的材料制備設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、材料科學(xué)、裝飾鍍膜等領(lǐng)域，用于生產(chǎn)各種功能性和裝飾性薄膜。通過(guò)精確控制濺射過(guò)程中的各種參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高效率、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量的薄膜沉積。工作原理基于濺射效應(yīng)，即在真空環(huán)境下，通過(guò)電場(chǎng)加速的氣體離子（通常是氬離子）轟擊靶材，使靶材原子或分子被轟擊出來(lái)，然后沉積在基材上形成薄膜。磁控部分則是通過(guò)靶材背后的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)，有效延長(zhǎng)了電子在等離子體中的運(yùn)動(dòng)路徑，提高了氣體離化率和濺射效...

靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來(lái)自固體表面前幾層，這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列產(chǎn)品為科研和工業(yè)領(lǐng)域提供了高性價(jià)比的表面分析解決方案。以下數(shù)據(jù)展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優(yōu)勢(shì)。實(shí)驗(yàn)質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確性圖1.污染鋁接頭近來(lái)，儀器的質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確度均已經(jīng)提高到2000（M/ΔM）以上。上圖展示了...

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術(shù)，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過(guò)程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無(wú)機(jī)和元素種類的信息。例如，如果表面吸附了有機(jī)污染物（如油），TOF-SIMS將揭示這些信息，而其他技術(shù)則難以實(shí)現(xiàn)，特別是在污染物含量極低的情況下。由于TOF-SIMS是一種測(cè)量技術(shù)，因此通常可以檢測(cè)到元素周期表中的所有元素，包括H。此外，這種分析可以提供質(zhì)譜信息;樣品上XY維度的圖像信息;以及Z方向的深度剖面信息到...

什么是TOFSIMS?它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問(wèn)題，以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（ToFSIMS）是一種用于研究固體表面和薄膜的三維化學(xué)組成的表面分析技術(shù)。聚焦的一次離子束轟擊目標(biāo)表面，產(chǎn)生中性原子/分子、二次離子和電子。二次離子通過(guò)飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行收集和分析。質(zhì)譜儀通過(guò)精確測(cè)量離子到達(dá)探測(cè)器所需的時(shí)間(即“飛行時(shí)間”)來(lái)測(cè)量離子的質(zhì)荷比(m/z)。通過(guò)掃描一次離子束在樣品表面的區(qū)域，可以...

二次離子質(zhì)譜儀是一種強(qiáng)大的表面分析工具，它能夠在微觀層面上提供關(guān)于材料成分和結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。它的應(yīng)用范圍廣泛，從材料科學(xué)到生物醫(yī)學(xué)，從半導(dǎo)體工業(yè)到地球科學(xué)。盡管SIMS具有許多優(yōu)勢(shì)，但它的操作和維護(hù)相對(duì)復(fù)雜，需要專業(yè)的技術(shù)人員和持續(xù)的培訓(xùn)。二次離子質(zhì)譜儀的技術(shù)原理：1.一次離子束：一次離子束是由離子源產(chǎn)生的高能離子，通常使用銫離子，它們被加速到高能量并聚焦成細(xì)小的束流。2.二次離子產(chǎn)生：當(dāng)一次離子束轟擊樣品表面時(shí)，會(huì)將表面原子或分子激發(fā)為離子，即二次離子。3.質(zhì)譜分析：產(chǎn)生的...