主要功能：

主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，及各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形。可以用于金屬材料（金、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對(duì)溫度敏感的有機(jī)柔性基片等。

工作原理：

通過(guò)分子泵和機(jī)械泵組成的兩級(jí)真空泵對(duì)不銹鋼腔體抽真空，當(dāng)廣域真空計(jì)顯示的讀數(shù)達(dá)到10^-6Torr量級(jí)或更高的真空時(shí)，主系統(tǒng)的控制軟件通過(guò)控制質(zhì)量流量計(jì)精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O₂)，此時(shí)可以設(shè)定工藝所要求的真空（一般在0.1-10Pa范圍）。這時(shí)可以根據(jù)濺射的需要開(kāi)啟RF或DC電源，并通過(guò)軟件選擇所要濺射的靶槍，產(chǎn)生的Ar等離子轟擊相應(yīng)的靶槍(如果增加O₂，氧原子則會(huì)與濺射出來(lái)的原子產(chǎn)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射)。并在樣品臺(tái)上方的基片上沉積出相應(yīng)的薄膜，薄膜的膜厚可以通過(guò)膜厚監(jiān)控儀自動(dòng)控制。工藝狀況可通過(guò)腔門上的觀察視窗實(shí)時(shí)觀看。自動(dòng)遮板則可以遮擋每一次除了被選中的靶槍外的其它靶槍，防止被污染。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)：

考慮實(shí)驗(yàn)應(yīng)用要求工藝數(shù)據(jù)的可靠性，NANO-MASTER的磁控濺射設(shè)備在鍍膜均勻性、重復(fù)性和設(shè)備穩(wěn)定性等方面均有優(yōu)勢(shì)。

1、鍍膜均勻性：在關(guān)鍵的鍍膜均勻性方面，對(duì)于6”硅片的金屬材料鍍膜，NM設(shè)備可以達(dá)到優(yōu)于3%的鍍膜均勻度。

2、設(shè)備制造工藝：在配備相似等級(jí)的分子泵及機(jī)械泵的情況下，NM設(shè)備普遍具有更快的抽真空速率，可在20-25分鐘左右就達(dá)到高真空工藝。腔體真空的穩(wěn)定度影響鍍膜的性能。

3、工藝的可重復(fù)性：NM設(shè)備在工藝控制方面，有更高的自動(dòng)化能力，通過(guò)PC控制，減少人工干預(yù)造成的工藝偏差。相比需要人工配合的設(shè)備，導(dǎo)致不同人采用同樣的工藝做出來(lái)的效果卻不同，甚至同一個(gè)人在不同時(shí)間運(yùn)行相同的工藝做出來(lái)的效果也不同。

4、設(shè)備的緊湊性：在滿足相同性能情況下，由于加工精密度方面的優(yōu)勢(shì)，NM設(shè)備具有更緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積較小，節(jié)約實(shí)驗(yàn)室寶貴的空間。

5、設(shè)備的穩(wěn)定性：NM設(shè)備的維護(hù)率較低，可以保證設(shè)備較長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定運(yùn)行，保證科研進(jìn)度。